Séléniure de cuivre, d'indium et de gallium

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CIGS (semiconducteur)
__ Cu+     __ Se2-     __ In3+ ou Ga3+
Propriétés chimiques
Formule	CuInxGa1-xSe2
Propriétés physiques
T° fusion	990 à 1 070 °C (x = 1 à 0)
Masse volumique	≈ 5,7 g·cm-3
Propriétés électroniques
Bande interdite	1,7 eV (x = 0) à 1,0 eV (x = 1)
Cristallographie
Système cristallin	Tétragonal
Réseau de Bravais	Centré I
Classe cristalline ou groupe d’espace	(no 122) tétragonal Hermann-Mauguin : ${\displaystyle I\ {\bar {4}}\ 2\ d\,}$ Schoenflies : ${\displaystyle D_{2d}^{12}\,}$
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.
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Le séléniure de cuivre, d'indium et de gallium, souvent abrégé CIGS, de l'anglais copper indium gallium selenide, est un composé chimique de formule générique CuIn_xGa_1−xSe₂. C'est un semi-conducteur à gap direct constitué de cuivre, d'indium, de gallium et de sélénium. Il s'agit d'une solution solide de CIS CuInSe₂ (copper indium selenide, x = 1) et de CGS CuGaSe₂ (copper gallium selenide, x = 0). Sa structure cristalline est semblable à celle de la chalcopyrite, dans le groupe d'espace I42d (n^o 122), avec une largeur de bande interdite variant de manière continue de 1,02 eV pour le CIS à 1,7 eV pour le CGS^[1].

Ce matériau est utilisé essentiellement pour réaliser des cellules photovoltaïques à couches minces. Il présente l'avantage de pouvoir être déposé sur des surfaces flexibles afin de réaliser des panneaux solaires souples et légers.

• Sulfure de cuivre, de zinc et d'étain (CZTS)
• Cellule CIGS

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