Lista de fábricas de semicondutores
Esta é uma lista de fábricas de semicondutores. Uma planta de fabricação de semicondutores é onde circuitos integrados (CIs), também conhecidos como microchips, são fabricados. Eles são operados por Fabricantes de Dispositivos Integrados (FDIs) que projetam e fabricam CIs internamente e também podem fabricar somente projetos (empresas sem fábrica), ou por fundições Pure Play, que fabricam projetos de empresas sem fábrica e não projetam seus próprios CIs. Algumas fundições Pure Play, como a TSMC, oferecem serviços de design de CI, e outras, como a Samsung, projetam e fabricam CIs para os clientes, ao mesmo tempo em que projetam, fabricam e vendem seus próprios CIs.
Glossário de termos
- Tamanho do wafer - maior diâmetro do wafer que uma instalação é capaz de processar. (Os wafers semicondutores são circulares).
- Nódulo de tecnologia de processo - tamanho dos menores recursos que a instalação é capaz de gravar nos wafers.
- Capacidade de produção - a capacidade nominal de uma instalação de manufatura. Geralmente, máximo de wafers produzidos por mês.
- Utilização - o número de wafers que uma fábrica processa em relação à sua capacidade de produção.
- Tecnologia/produtos - tipo de produto que a instalação é capaz de produzir, já que nem todas as fábricas podem produzir todos os produtos do mercado.
Fábricas em operação
As fábricas operacionais incluem:
Companhia | Nome da fábrica | Localização da fábrica | Custo da fábrica (em bilhões de US$) | Ano de início de produção | Tamanho do wafer (mm) | Nódulo de tecnologia de processo (nm) | Capacidade produtiva (Wafers/Mês) | Tecnologia / produtos |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
UMC - He Jian | Fab 8N | ![]() | 0.750, 1.2, +0.5 | Maio de 2003 | 200 | 4000–1000, 500, 350, 250, 180, 110 | 77,000 | Fundição |
UMC | Fab 6A | ![]() | 0.35 | 1989 | 150 | 450 | 31,000 | Fundição |
UMC | Fab 8AB | ![]() | 1 | 1995 | 200 | 250 | 67,000[1] | Fundição |
UMC | Fab 8C | ![]() | 1 | 1998 | 200 | 350–110 | 37,000 | Fundição |
UMC | Fab 8D | ![]() | 1.5 | 2000 | 200 | 90 | 31,000 | Fundição |
UMC | Fab 8E | ![]() | 0.96 | 1998 | 200 | 180 | 37,000 | Fundição |
UMC | Fab 8F | ![]() | 1.5 | 2000 | 200 | 150 | 40,000 | Fundição |
UMC | Fab 8S | ![]() | 0.8 | 2004 | 200 | 350–250 | 31,000 | Fundição |
UMC | Fab 12A | ![]() | 4.65, 4.1, 6.6, 7.3 | 2001, 2010, 2014, 2017 | 300 | 28, 14 | 87,000[1] | Fundição |
UMC | Fab 12i | ![]() | 3.7 | 2004 | 300 | 130–40 | 53,000 | Fundição |
UMC - United Semiconductor | Fab 12X | ![]() | 6.2 | 2016 | 300 | 55–28 | 19,000-25,000 (2021) | Fundição |
UMC - USJC (antes MIFS) (antes Fujitsu) | Fab 12M (instalações originais Fujitsu)[2] | ![]() | 1974 | 150, 200, 300[3] | 90–40 | 33,000 | Fundição | |
Texas Instruments | FFAB | ![]() ![]() | 200 | 1000–180 | ||||
Texas Instruments (antes National Semiconductor) | MFAB[4] | ![]() ![]() | .932 | 1997 | 200 | 350, 250, 180 | ||
Texas Instruments | RFAB | ![]() ![]() | 2009 | 300 | 180, 130 | BiCMOS | ||
Texas Instruments | DMOS6 | ![]() ![]() | 300 | 130–65, 45 | ||||
Texas Instruments | DMOS5 | ![]() ![]() | 200 | 180 | BiCMOS | |||
Texas Instruments | DFAB | ![]() ![]() | 1964 | 150/200 | 1000–500 | |||
Texas Instruments | SFAB | ![]() ![]() | 150 | 2000–1000 | ||||
Texas Instruments | DHC | ![]() ![]() | 2019[5] | Fundição | ||||
Texas Instruments | DBUMP | ![]() ![]() | 2018[5] | Fundição | ||||
Texas Instruments | MIHO8 | ![]() ![]() | 200 | 350–250 | BiCMOS | |||
Texas Instruments | Aizu | ![]() ![]() | 200 | 110 | ||||
Texas Instruments (antes SMIC - Cension) | Chengdu (CFAB) | ![]() | 200 | |||||
Tsinghua Unigroup | ![]() | 10 (primeira fase), 30 | Planejada | 300 | 100,000 (primeira fase) | 3D NAND Flash | ||
Tsinghua Unigroup - XMC (antes Xinxin)[6] | Fab 1 | ![]() | 1.9 | 2008 | 300 | 90, 65, 60, 50, 45, 40, 32 | 30,000[7] | Fundição, NOR |
Tsinghua Unigroup - Yangtze Memory Technologies (YMTC) - XMC (antes Xinxin)[6][7] | Fab 2 | ![]() | 24 | 2018 | 300 | 20 | 200,000 | 3D NAND |
SMIC | S1 Mega Fab (S1A/S1B/S1C)[8] | ![]() | 200 | 350–90 | 114,000[9] | Fundição | ||
SMIC | S2 (Fab 8)[8] | ![]() | 300 | 45/40–32/28 | 20,000[9] | Fundição | ||
SMIC - SMSC | SN1[8] | ![]() | 10 (expected) | Predefinição:Tba | 300 | 12 / 14 | 70,000[6] | Fundição |
SMIC | B1 Mega Fab (Fab 4, Fab 6)[8] | ![]() | 2004 | 300 | 180–90/55 | 50,000[9] | Fundição | |
SMIC | B2A[8] | ![]() | 3.59[10] | 2014 | 300 | 45/40–32/28 | 35,000[9] | Fundição |
SMIC | Fab 7[8] | ![]() | 2004 | 200 | 350–90 | 50,000[9] | Fundição | |
SMIC | Fab 15[8] | ![]() | 2014 | 200 | 350–90 | 50,000[9] | Fundição | |
SMIC | SZ (Fab 16A/B)[8] | ![]() | 2019 | 300 | 8 / 14 | 40,000[6] | Fundição | |
SMIC[6] | B3 | ![]() | 7.6 | Predefinição:Tba | 300 | 35,000 | Fundição | |
Wuxi Xichanweixin (antes SMIC - LFoundry) (antes LFoundry) (antes Micron)[11] (antes Texas Instruments) | LF | ![]() | 1995 | 200 | 180–90 | 50,000 | ||
Nanya | Fab | ![]() | 199x | 300 | DRAM | |||
Nanya | Fab 2 | ![]() | 0.8 | 2000 | 200[12] | 175 | 30,000 | DRAM |
Nanya | Fab 3A[13] | ![]() | 1.85[15] | 2018 | 300 | 20 | DRAM | |
Micron | Fab 1 | ![]() | 1981 | 300 | DRAM | |||
(futura Texas Instruments) Micron (antes IM Flash) | Fab 2 IMFT | ![]() | 300 | 25[16] | 70,000 | DRAM, 3D XPoint | ||
Micron | Fab 4[17] | ![]() | 300 | RnD | ||||
Micron (antes Dominion Semiconductor) | Fab 6 | ![]() | 1997 | 300 | 25[16] | 70,000 | DRAM, NAND FLASH, NOR | |
Micron (antes TECH Semiconductor) | Fab 7 (antes TECH Semiconductor, Cingapura)[18] | ![]() | 300 | 60,000 | NAND FLASH | |||
Micron (antes IM Flash)[19] | Fab 10[20] | ![]() | 3 | 2011 | 300 | 25 | 100,000 | NAND FLASH |
Micron (antes Inotera) | Fab 11[21] | ![]() | 300 | 20 and under | 80,000 | DRAM | ||
Micron | Fab 13[22] | ![]() | 200 | NOR | ||||
Micron | ![]() | 200 | NOR Flash | |||||
Micron | Micron Semiconductor Asia | ![]() | ||||||
Micron | ![]() | |||||||
Micron (antes Elpida Memory) | Fab 15 (antes Elpida Memory, Hiroshima)[17][23] | ![]() | 300 | 20 and under | 100,000 | DRAM | ||
Micron (antes Rexchip) | Fab 16 (antes Rexchip, Taichung)[17] | ![]() | 300 | 30 and under | 80,000 | DRAM, FEOL | ||
Micron (antes Cando) | Micron Memory Taiwan[23] | ![]() | ?, 2018 | 300 | DRAM, BEOL | |||
Micron | A3 | ![]() | Sob construção | 300 | DRAM | |||
Intel | D1B | ![]() | 1996 | 300 | 10 / 14 / 22 | Microprocessadores[25] | ||
Intel | D1C[26][25] | ![]() | 2001 | 300 | 10 / 14 / 22 | Microprocessadores[25] | ||
Intel | D1D[26][25] | ![]() | 2003 | 300 | 7 / 10 / 14 | Microprocessadores[25] | ||
Intel | D1X[27][25] | ![]() | 2013 | 300 | 7 / 10 / 14 | Microprocessadores[25] | ||
Intel | Fab 12[26][25] | ![]() | 1996 | 300 | 14 / 22 / 65 | Microprocessadores & chipsets[25] | ||
Intel | Fab 32[26][28] | ![]() | 3 | 2007 | 300 | 45 | ||
Intel | Fab 32[26][25] | ![]() | 2007 | 300 | 22 / 32 | Microprocessadores[25] | ||
Intel | Fab 42[29][30][25] | ![]() | 10[31] | 2020[32] | 300 | 7 / 10 | Microprocessadores[25] | |
Intel | 2, unknown[33][34] | ![]() | 20[33] | 2024[33] | Microprocessadores[33] | |||
Intel | Fab 11x[26][25] | ![]() | 2002 | 300 | 32 / 45 | Microprocessadores[25] | ||
Intel (antes Micron) (antes Numonyx) (antes Intel) | Fab 18 | ![]() | 1996 | 200, 300 | 45 / 65 / 90 / 180 | Microprocessadores e chipsets, NOR flash | ||
Intel | Fab 10[26] | ![]() | 1994 | 200 | ||||
Intel | Fab 14[26] | ![]() | 1998 | 200 | ||||
Intel | Fab 24[26][25] | ![]() | 2004 | 300 | 14 / 65 / 90[35] | Microprocessadores, chipsets e Comms[25] | ||
Intel | Fab 28[26][25] | ![]() | 2008 | 300 | 10 / 22 / 45 | Microprocessadores[25] | ||
Intel | Fab 68[26][36] | ![]() | 2.5 | 2010 | 300 | 65[37] | 30,000–52,000 | Microprocessadores (antes), VNAND[25] |
Intel | ![]() | 1997 | 300 | 14 / 22 | Packaging | |||
General Motors Components Holdings | Fab III | ![]() | 125/200 | 500+ | ||||
Raytheon Systems Ltd | ![]() | 1960 | 100 | CMOS-on-SiC, Fundição | ||||
BAE Systems (antes Sanders) | ![]() | 1985 | 100, 150 | 140, 100, 70, 50 | MMIC, GaAs, GaN-on-SiC, Fundição | |||
Flir Systems | ![]() | 150 | IR Detectors, Thermal Imaging Sensors | |||||
Teledyne DALSA | Teledyne DALSA Semiconductor | ![]() | 1980 | 150/200 | HV ASICs, HV CMOS, MEMS, CCD | |||
Teledyne e2v | Teledyne e2v | ![]() | 1980 | 150/200 | CCD Fab, CMOS Packaging, III-V, MCT, 6 inch and 8 inch backthinning | |||
Qorvo (antes RF Micro Devices) | ![]() | 100,150 | 500 | 8,000 | SAW filters, GaAs HBT, GaAs pHEMT, GaN | |||
Qorvo (antes TriQuint Semiconductor) (antes Micron) (antes Texas Instruments) (antes TwinStar Semiconductor) | ![]() | 0.5 | 1996 | 100, 150, 200 | 350, 250, 150, 90 | 8,000 | DRAM (antes), BAW filters, power amps, GaAs pHEMT, GaN-on-SiC | |
Qorvo (antes TriQuint Semiconductor) | ![]() | 100, 150 | 500 | Power amps, GaAs | ||||
Apple (antes Maxim) (antes Samsung) | X3[40] | ![]() | ?, 1997, 2015[41] | 600–90 | ||||
Analog Devices | Limerick | ![]() | 200 | |||||
Analog Devices | Wilmington | ![]() | 200/150 | |||||
Analog Devices (antes Linear Technology) | Hillview | ![]() | 150 | |||||
Analog Devices (antes Linear Technology) | Camas | ![]() | 150 | |||||
Analog Devices (antes Maxim Integrated) | MaxFabNorth[42] | ![]() | ||||||
ISRO | SCL[43] | ![]() | 2006 | 200 | 180 | MEMS, CMOS, CCD, N.S. | ||
STAR-C[44][45] | MEMS[45] | ![]() | 1996 | 150 | 1000–500 | MEMS | ||
STAR-C[44][45] | CMOS[45] | ![]() | 1996 | 150 | 1000–500 | CMOS | ||
GAETEC[44][46] | GaAs[46] | ![]() | 1996 | 150 | 700–500 | MESFET | ||
Tower Semiconductor (antes Maxim)(antes Philips)(antes VLSI) | Fab 9[47][48] | ![]() | 2003 | 200 | 180 |
Ver também
Referências
- ↑ a b «Fab Information». Umc.com
- ↑ «Mie Plant - Fujitsu Global». Fujitsu.com
- ↑ «Fujitsu says sayonara to semiconductor biz, thousands of staff»
- ↑ «Archived copy». Consultado em 16 de junho de 2011. Arquivado do original em 20 de junho de 2011
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