350纳米制程

半导体器件制造
金屬氧化物半導體場效電晶體
010 µm – 1971 006 µm – 1974 003 µm – 1977  1.5 µm – 1981 001 µm – 1984 800 nm – 1987 600 nm – 1990 350 nm – 1993 250 nm – 1996 180 nm – 1999 130 nm – 2001 090 nm – 2003 065 nm – 2005 045 nm – 2007 032 nm – 2009 022 nm – 2012 014 nm – 2014 010 nm – 2016 007 nm – 2018 005 nm – 2020 003 nm – 2022
未來 002 nm ~ 2024
晶體管數量 互補式金屬氧化物半導體 半导体器件（多閘極電晶體） 摩尔定律 晶體管數量 半导体 半导体产业 纳电子学
查 论 编

350纳米制程，又稱0.35微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于1995年至1996年左右达成。^[1][2] 这一制程由当时领先的半导体公司如英特尔和IBM所完成。

具有350纳米制程的产品

• 英特尔Pentium Pro、Pentium（P54CS，1995年）和最初的Pentium IICPU（Klamath，1997年）使用这个制程。
• AMD K5（1996年）和最初的AMD K6（Model 6，1997年）CPU。
• NEC VR4300（英语：NEC VR4300），用于任天堂64游戏机。
• Parallax Propeller（英语：Parallax Propeller），8核微控制器。^[3]
• NVIDIA RIVA 128，NVIDIA於1997年推出的顯示晶片
• NVIDIA RIVA TNT，NVIDIA於1998年推出的顯示晶片

参考文献