Fig.1 Exemple de tecnologia de 130 nm : IBM Gekko 130 nanòmetres (130 nm ) és una tecnologia de fabricació de semiconductors en què els components tenen una dimensió de 130 nm . És una millora de la tecnologia de 180 nm. La llei de Moore diu que la superfície és redueix a la meitat cada 2 anys, per tant el costat del quadrat de la nova tecnologia serà de 130 ≃ 180 2 {\displaystyle 130\simeq {\frac {180}{\sqrt {2}}}} . Sabent que els àtoms de silici tenen una distància entre ells de 0,543 nm, llavors el transistor té de l'ordre de 240 àtoms de llargada.[1] [2]
Tecnologia emprada
Processadors Fabricant Data CPU Notes Motorola 2002 PowerPC 7447, 7457 IBM 2002 Gekko Intel 2002 Pentium III, 4, M, Celeron, Xeon AMD 2002 Athlon XP, MP, Duron, K7 K8 Sempron,64, Opteron
[3]
Fabricant Intel TSMC Samsung Fujitsu IBM / Infineon / UMC Motorola AMD NEC NEC TI TI Nom del procés P860 CS-91 CMOS 9S HiPerMOS 7 Primera producció 2001 2001 2001 2002 2001 2001 2002 2001 2001 2001 Tipus Bulk PDSOI Bulk Capes de Metal 6 8 8 5 7 6 7 Value 180 nm Δ Value 180 nm Δ Value 180 nm Δ Value 180 nm Δ Value 180 nm Δ Value 180 nm Δ Value 180 nm Δ Value 180 nm Δ Value 180 nm Δ Value 180 nm Δ Value 180 nm Δ Pas de contacte de porta 319 nm 0.66x 310 nm ?x 350 nm ?x ? nm ?x 350 nm ?x 350 nm ?x 350 nm ?x ?nm ?x ?nm ?x ?nm ?x ?nm ?x Pas de connexió 345 nm 0.69x 340 nm ?x 350 nm ?x ? nm ?x 320 nm ?x 350 nm ?x 350 nm ?x ?nm ?x ?nm ?x ?nm ?x ?nm ?x Cel·lula 1 bit de RAM 2.45 µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x Cel·lula 1 bit de DRAM 2.09 µm² 0.36x 2.14 µm² 0.46x ? µm² ?x 1.98 µm² 0.47x 1.8 µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x ? µm² ?x
Vegeu també
Referències ↑ «130 nm lithography process - WikiChip» (en anglès). en.wikichip.org. [Consulta: 18 març 2017]. ↑ «Suppliers ready 130-nm processes for production | EE Times» (en anglès). www.eetimes.com. [Consulta: 19 març 2017]. ↑ «130 nm lithography process - WikiChip» (en anglès). en.wikichip.org. [Consulta: 19 març 2017].